1.单向可控硅等效结构
2.单向可控硅晶体管模型
3.单向可控硅平面和纵向结构
4.可控硅工作原理-导通
栅极悬空时,BG1 和BG2截止, , 没有电流流过负载电阻RL。 。
• 栅极输入一个正脉冲电压时 时, ,BG2 道通, VCE(BG2) 下降, VBE(BG1) 升高。
• 正反馈过程使BG1 和BG2进入饱和道通状态。
• 电路很快从截止状态进入道通状态。
• 由于正反馈的作用栅极没有触发将保持道通状态不
变。
6.可控硅工作原理-截止
• 阳极和阴极加上反向电压
•BG1 和BG2 截止。
• 加大负载电阻RL 使电路电流减少BG1 和BG2 的基电流也将减少。
• 当减少到某一个值时由于电路的正反馈作用,电路翻转为截止状态。
• 这个电流为维持电流。
8.单向可控硅I-V曲线
9.单向可控硅反向特性
条件:控制极开路,阳极加上反向电压时
• 分析:J2 结正偏,但J1、 、J2 结反偏。当J1 ,J3结 结的雪崩击穿后,电流迅速增加,如特性OR 段所示,弯曲处的电压URRM 叫反向转折电压,也叫反向重复峰值电压。
• 结果:可控硅会发生永久性反向击穿。
11.单向可控硅正向特性
条件: 控制极开路,阳极加正向电压
• 分析: J1 、 J3 结正偏,J2 结反偏,这与普通 PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,如特性 OA 段所示,弯曲处的是 UDRM 叫:正向转折电压,也叫断态重复峰值电压。
13.单向可控硅负阻特性及导通
条件:J2 结的雪崩击穿
• 分析: J2 结的雪崩击穿后 J2结发生雪崩倍增效应, J2 结变成正偏,只要电流稍增加,
电压便迅速下降。
• 结果:出现所谓负阻特性
• 正向导通
• 条件:电流继续增加
• 分析: J1 、 J2 、 J3 三个结均处于正偏,它的特性与普通的 PN 结正向特性相似, 结果:可控硅便进入正向导电状态
15.单向可控硅触发导通
条件:控制极G 上加入正向电压
• 分析: J3 正偏,形成触发电流 IGT 。内部形成正反馈,加上 IGT 的作用,图中的伏安特
性 OA 段左移, IGT 越大,特性左移越快。
• 结果:可控硅提前导通。
16.单向可控硅导通和关断条件
(一)从关断到导通
1 、阳极电位高于是阴极电位
2 、控制极有足够的正向电压和电流。
两者缺一不可
(二)维持导通
1 、阳极电位高于阴极电位
2 、阳极电流大于维持电流
两者缺一不可
(三)从导通到关断
1 、阳极电位低于阴极电位
2 、阳极电流小于维持电流
任一条件即可
联系人:刘经理
手机:18926008145
电话:0769-88461176
邮箱:style@huanxinwei.com
地址: 东莞市高埗镇高埗稍潭村理文街第A24座2号