双向可控硅的使用方法和详细介绍

1.双向可控硅等效结构

2.双向可控硅等效结构

3.双向可控硅等效结构

T2 接电源Vt21 正极，T1 接通电源Vt21负 负, 此时当G 极接Vg+ 为正电压， Q4、 、Q5 、Q6 、Q7 处于反向截止，Q1 的B极 极和 和E 极之间无正偏压也处于截止状态，Vg+ 由P2 输入后经R3 使Q2 的B 极和E极 极之间产生正偏电压而导通，从而促使Q3导通，这时即使撤出Vg+ ，在电容C1的 的的作用下，Q2 、Q3 也仍然能处于导通状态，只有当Vt21 先反向或撤除才重回截止。当G 极接Vg 为负，Q4 、Q5 、Q6、 、Q7 同样处于反向截止状态，Q1 的B 极和E 极之间因Vg 产生正偏电压而导通，从而使Q3 、Q2 导通并得以保持导通状态。 T1 接电源Vt12 正极，T2 接通负电源Vt12 的负极,  此时G 极接Vg 为正， Q1因 因B 极和E 极之间处于反向偏压而截止，Q3 处于反向截止，Q2 因B 极和E 极之间处于正向偏压导通而导致Q4 、Q7 的导通，从而Q6 、Q7 导通并保持导通状态，只有当 当Vt12 先反向或撤除才重回截止。当G极接Vg 为负，Q1 、Q2 、Q3 和Q4 处于反向截止， Q5 的B 极和E 极之间因Vg 而处于正偏导通，从而使Q6 导通，继而Q7、 、Q6 导通并得以保持导通状态。

4.双向可控硅触发模式

5.双向可控硅触发命名

6.双向可控硅平面和纵向结构

7.双向可控硅I-V曲线

8.双向可控硅优缺点

优点：
双向可控硅可以用门极和T1  间的正向或负向电流
触发。因而能在四个“象限”触发
缺点：
1.  高IGT ->  需要高峰值IG 。
2.  由IG  触发到负载电流开始流动，两者之间迟后时间较长 –>  要求IG  维持较长时间。
3.  低得多的dI/dt  承受能力 —>  若控制负载具有高dI/dt  值（例如白炽灯的冷灯丝），门极可能发生强烈退化。
4.  高IL  值（1- 工况亦如此）—> 对于很小的负载，若在电源半周起始点导通，可能需要较长时间的IG ，才能让负载电流达到较高的IL 。

9.双向可控硅误导通

 （a ）电子噪声引发门极信号在电子噪声充斥的环境中，若干扰电压超过VGT，并有足够的门极电流，就会发生假触发，导致双向可控硅切换。
(b) 超过最大切换电压上升率dVCOM/dt当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零，这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率若超过允许的dVCOM/dt，会迫使双向可控硅回复导通状态。因为载流子没有充分的时间自结上撤出。
（ （c ）  超出最大的切换电流变化率dICOM/dt过高的dIT/dt 可能导致局部烧毁，并使MT1-MT2 短路。 高dIT/dt 承受能力决定于门极电流上升率dIG/dt 和峰值IG。较高的dIG/dt 值和峰值IG
(d)  超出最大的断开电压变化率dVD/dt若截止的双向可控硅上（或门极灵敏的闸流管）作用很高的电压变化率，尽管不超过VDRM（见图8），电容性内部电流能产生足够大的门极电流，并触发器件导通。门极灵敏度随温度而升高。

10.三象限（ 无缓冲）双向可控硅

1. 3Q 双向可控硅具有和4Q 双向可控硅不同的内部结构，它在门极没有临界的重叠结构。
2. 不能在4象限工作，但由于排除了4象限的触发，同时避开了4Q 双向可控硅的缺点。
3. 大部分电路工作在1和3象限（用于相位控制），或者工作在2和3象限（用于简单的极性触发)。

3Q  双向可控硅的好处:
1. 高dVcom/dt 值性能,不需缓冲电路
2. 高dVd/dt 值性能,不需缓冲电路
3. 高dIcom/dt 值性能，不必串联电感

11.双向可控硅