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线路设计用掌握单向可控硅触发电流控制特性

单向可控硅基本使用，当其外加正向电压时，它处于正向阻断状态，如果不断的提高外加电压值，当外加正向电压大于单向可控硅的断态重复峰值电压（VDRM），达到转折电压VBO时（VDRM≥800*Vth），单向可控硅会导通。如果外加正向电压小于VDRM，但又希望单向可控硅正向导通，我们只需要在单向可控硅的G极施加很小的正向门极电流（正向触发脉冲），当施加的正向门极电流大于单向可控硅的触发电流（IGT）时，单向可控硅即可导通。即我们可以通过对G极施加正向电流来控制单向可控硅的正向导通。此时，如果阳极电流大于单向可控硅的擎住电流（IL）,我们撤去正向门极电流，单向可控硅依然可以处于导通状态，只有当阳极电流小于单向可控硅的维持电流（IH）时，单向可控硅才会关断。上述单向可控硅的工作原理我们称之为触发控制特性。

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