公司新闻
晶闸管参数名词解释
1. 反向重复峰值电压（VRRM）：反向阻断晶闸管两端出现的重复最大瞬时值反向电压，包括所有的重复瞬态电压，但不包括所有的不重复瞬态电压。
注：反向重复峰值电压（VRRM）是可重复的，值大于工作峰值电压的最大值电压，如每个周期开关引起的毛疵电压。
2. 反向不重复峰值电压（VRSM）：反向阻断晶闸管两端出现的任何不重复最大瞬时值瞬态反向电压。
1） 测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的反向不重复峰值电压额定值。
2） 测试条件：a）结温：25℃和125℃； b）门极断路；c）脉冲电压波形：底宽近似10mS的正弦半波； d)脉冲重复频率：单次脉冲；e)脉冲次数：按有关产品标准规定；f)测试电压：反向不重复峰值电压
注：反向不重复峰值电压（VRSM）是外部因素偶然引起的，值一般大于重复峰值电压的最大值电压。通常标准规定VRSM =1.11VRRM。应用设计应考虑一切偶然因素引起的过电压都不得超过不重复峰值电压。
3. 通态方均根电流（IT(RMS)）：通态电流在一个周期内的方均根值。
4. 通态平均电流(IT(AV))：通态电流在一个周期内的平均值。
5. 浪涌电流（ITSM）：一种由于电路异常情况（如故障）引起的，并使结温超过额定结温的不重复性最大通态过载电流。
1）测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的通态（不重复）浪涌电流额定值。
2）测试条件：a)浪涌前结温：125℃；b)反半周电压：80％反向重复峰值电压；d)每次浪涌的周波数：一个周波，其导通角应在160度至180度之间
6. 通态电流临界上升率（di/dt）：在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。
1)测试目的：在规定条件下，检验晶闸管的通态电流临界上升率额定值。
2）测试条件：a)加通态电流前结温： 125℃；b)门极触发条件：IGM =3～5IGT；c)开通前断态电压VDM=2/3VDRM ；d)开通后通态电流峰值：2 IT（AV）～3IT（AV）； e)t1≥1us；f)重复频率：50HZ；g)通态电流持续时间：5s。
7. I2t值：浪涌电流的平方在其持续时间内的积分值。
1） 测试目的：在规定条件下，检验和测量反向阻断三级晶闸管的I2t值
2） 测试条件：a)浪涌前结温：125℃；b)浪涌电流波形：正弦半波；
3) I2t测试实质是持续时间小于工频正弦波（1-10ms范围）的一种不重复浪涌电流测试。通过浪涌电流it对其持续时间t积分∫it2dt，即可求得I2t值。
8. 门极平均值耗散功率（PG（AV））：在规定条件下，门极正向所允许的最大平均功率。
1) 测试目的：在规定条件下，检验反向阻断三级晶闸管的门极平均功率额定值
2) 测试条件：a)结温：125℃；b)门极功率：额定门极平均功率；c)测试持续时间：3S；d)主电路条件：阳，阴极间断路。
3） 测量程序：a)被测器件加热到规定结温；b)从零缓慢调整电源的输出，使电流表和电压表指示的数字的乘积达到额定门极平均功率PG（AV），并保持3S时间，然后将电源的输出调回零；c)测试后，进行门极触发电流和电压测量，如无异常，则PG（AV）额定值得到确认。
9. 反向重复峰值电流（IRRM）：晶闸管加上反向重复峰值电压时的峰值电流。
10. 断态重复峰值电流（IDRM）：晶闸管加上断态重复峰值电压时的峰值电流。
1） 测试目的：在规定条件下，测量晶闸管的断态重复峰值电压下的断态重复峰值电流和反向重复峰值电压下的反向重复峰值电流。
2） 测试条件：a) 结温：25℃和125℃；b)断态电压和反向电压：断态重复峰值电压（VDRM）或反向重复峰值电压（VRRM）；c)门极断路。
3） 测量程序：A)被测器件分别在25℃和125℃下，调节交流电压源，使断态电压达到断态重复峰值电压，由示波器显示的断态电流即为所测断态重复峰值电流（IDRM）。
B)被测器件主电极的极性交换，重复上述操作即可测得反向重复峰值电流（IRRM）。
11. 峰值通态电压（VTM）：晶闸管通以π倍或规定倍数额定通态平均电流值时的瞬态峰值电压。
1） 测试目的：在规定条件下，用脉冲法测量晶闸管的通态峰值电压。
2） 测试条件：a)结温：出厂试验为25℃，型式试验为25℃和125℃；b)通态峰值电流：通态平均电流的π倍；c)电流脉冲可以使单次的，也可以是发热效应能忽略的低重复频率脉冲；d)电流脉冲宽度应足够宽，以使被测器件完全开通。
3） 测量程序：a)电源电压和门极触发电压先调至零。b)被测器件按规定压力和接线法接入电路中。结温调至规定值，门极电路调至规定的偏置条件。C)电源电压由零增加，通过L，C振荡，使流过被测器件的脉冲电流整定到规定值，此时示波器上显示的数值即为所测通态峰值电压。
12. 门槛电压：由通态特性近似直线与电压轴的交点确定的通态电压值。
13. 斜率电阻：由通态特性近似直线的斜率电阻确定的电阻值。
14. 延迟时间：在用门极脉冲使晶闸管从断态转入通态的过程中，从门极脉冲前沿的规定点起，至主电压下降到接近初始值的某一规定值为止的时间间隔。
15. 关断时间（tq）：外部使主电路转换动作后，从主电流下降至零值瞬间起，到晶闸管能承受规定的断态电压而不致过零开通的时间间隔。
1）测试目的：在规定条件下测量晶反向阻断三极闸管的关断时间。
2）测试条件：a)通电前结温：125℃；b) 关断前通态电流：波形优选位矩形波，峰值优选为3 ITAV，上升率di/dt≤30A/us；c)通态电流持续时间：按被测器件完全导通而发热尽可能小确定，数百微秒至几毫秒；d)关断期间施加反向电压幅值为100V，最小值不小于20V；e)再加断态电压幅值VDM=2/3VDRM，其上升率dv/dt=30V/us;f)重复频率f≤50HZ。
3）测量程序：a)被测器件结温控制在125℃；b)调整通态电流电源使被测器件流过规定的电流ITM，切断门极电流，持续规定的时间；c)调整反向电压电源，对被测器件施加幅值和最小值的反向电压，使其阳极电流反向并可靠地关断；d)在双迹示波器上观察，调整规定值再加断态电压施加时间，当被测器件刚能承受此电压而又不转为通态的最小时间间隔，即为所测关断时间。
16. 恢复电荷（Qr）：从规定的通态电流条件向规定的反向条件转换期间，晶闸管内存在的恢复性总电荷。它包括储存的载流子和耗尽层电容两部分电荷。
1） 测试目的：在规定条件下，用测量晶闸管反向恢复电流和反向恢复时间的方法求出恢复电荷。
2） 测试条件：a)结温：125℃；b)换向前的通态电流；额定通态平均电流值；c)通态电流下降率：规定；d)通态电流通电时间：按被测器件完全开通，又可忽视发热效应的原则选取；e)反向电压：50%反向重复峰值电压。
17. 临界电压上升率（dv/dt）：紧跟着一个方向通态电流之后，在相反方向上导致断态到通态转换的最小主电压上升率。
1） 测试目的：在规定条件下，用电压线形上升法或指数上升法，测量晶闸管的断态电压临界上升率。
2） 测试条件：a)结温：125℃；b)断态峰值电压（VDM）：从零开始施加2/3倍断态重复峰值电压；c)门极断路或规定偏置电阻值；d)断态电压脉冲间隔时间：重复频率≤50HZ；
3） 测试程序：被测器件加热到125℃。按示波器或峰值电压表显示，从零开始施加规定的断态电压，调整电压上升率，直至刚好开通，即电压波形突然下降，开通前瞬间的dV/dt即为所求断态电压临界上升率。
18. 门极触发电流（IGT）：使晶闸管由断态转入通态所必需的最小门极电流。
19. 门极触发电压（VGT）：产生门极触发电流所必须的最小门极电压。
1） 测试目的：在规定条件下，测量晶闸管的门极触发电流和门极触发电压。
2） 测试条件：a)结温：25℃；b)断态电压：直流12V或6V；c)负载电阻（R）值：应予规定；
3） 测量：被测器件在25℃下，由零开始逐渐增加门极至阴极间电压，当V1表指示的断态电压突然下降，A1表指示出通态电流的瞬间，此时毫安表A2和V2表的指示分别为所测门极触发电流和门极触发电压。
20. 门极峰值电流：包括所有门极正向瞬态电流的最大瞬时值门极正向电流。
21. 门极反向峰值电压：门极反向电压的最大瞬时值，包括所有的门极反向瞬态电压。
1) 测试目的：在规定条件下，检验反向阻断三级晶闸管的门极正向额定值。
2) 测试条件：a)结温：125℃；b)重复频率：50HZ；c)门极脉冲波形：方波，脉冲幅值对应的平均功率不超过其额定值；d)试验持续时间：3S；e)主电路条件：阳，阴极间断路。
3) 测试程序：A）将被测器件温度加热到规定结温；B）在被测器件的门极和阴极间施加门极触发脉冲，在示波器上观察门极伏安特性曲线，调整电源E，缓慢增大触发信号，当该曲线与额定门极正向峰值电流，额定门极正向峰值电压和额定门极正向峰值功率三条极限线的任一条相交时，在此点保持触发信号的大小持续3S时间，然后将电源输出调至零；C）测试后，进行断态和反向峰值电流，门极触发电流和电压测量，如无异常，则被测门极反向峰值电压额定值得到确认。
22. 结壳热阻：结到管壳基准点的热阻。
壳散热阻；管壳基准点到散热器基准点的热阻。
∷
环昕微实业
