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科技创新

可控硅两端并联阻容网络的作用

   在实际晶闸管电路中,常在其两端并联 RC 串联网络,该网络常称为 RC 阻容吸收电路。
我们知道,晶闸管有一个重要特性参数-断态电压临界上升率 dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下,使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大,超过了晶闸管的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压,也可能
发生这种情况。因为晶闸管可以看作是由三个 PN 结组成。在晶闸管处于阻断状态下,因各层相距很近,其 J2 结结面相当于一个电容C0。当晶闸管阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容 C0,并通过 J3 结,这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管在关断时,阳极电压上升速度太快,则 C0 的充电电流越大,就有可能造成门极在没有触发信号的情况下,晶闸管导通现象,即常说的硬开通,这是不允许的。因此,对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大,确保晶闸管安全运行,常在晶闸管两端并联RC 阻容吸收网络,利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感),所以与电容 C 串联电阻 R 可起阻尼作用,它可以防止 R、L、C 电路在过渡过程中,因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。同时,避免电容器通过晶闸管放电电流过大,造成过电流而损坏晶闸管。 由于晶闸管过流过压能力很差,如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC 阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。

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